PVD与CVD相比，沉积温度（）A、相同B、低C、高D、有时高有时低
PVD与CVD相比，沉积温度（）
- A、相同
- B、低
- C、高
- D、有时高有时低
相关考题：
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
高速钢表面涂层工艺与硬质合金表面涂层技术类同，有（）两种。A、高温烧结和高温高压烧结B、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）C、热压法（HP）和热等静压法（HIP）D、电镀法和电铸法
利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A、物理气相沉积（PVD）B、物理气相沉积（CVD）C、化学气相沉积（VCD）D、化学气相沉积（CVD）
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
单选题利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A物理气相沉积（PVD）B物理气相沉积（CVD）C化学气相沉积（VCD）D化学气相沉积（CVD）
单选题关于CVD涂层，（）描述是不正确的。ACVD表示化学气相沉积BCVD是在400~600℃的较低温度下形成CCVD涂层具有高耐磨性DCVD对硬质合金有极强的粘附性