绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件,它具有的特点是() A、驱动功率小，工作频率低，通态压降小B、驱动功率小，工作频率高，通态压降大C、驱动功率小，工作频率高，通态压降小
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右A、0.3B、1C、0.7D、1.5
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
硅二极管的正向压降是（）。A、0.7VB、0.2VC、1V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
多选题一般小功率硅管的管压降可为（）VA0.6B0.7C0.8D1.0
单选题硅二极管的正向压降是（）。A0.7VB0.2VC1V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错