型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
硅管的导通压降为（）V。A、0B、0.2C、0.5D、0.7
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
发光二极管的正向压降为（）左右。A、0.2VB、0.7VC、2V
硅二极管的正向压降是（）。A、0.7VB、0.2VC、1V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
单选题硅二极管的正向压降是（）。A0.7VB0.2VC1V
单选题发光二极管的正向压降为（）左右。A0.2VB0.7VC2V
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
单选题硅开关二极管导通时的正向压降为（）。A0.5VB0.7VC0.1VD0.3V
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错