型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
可控硅导通后,其压降()左右。 A.0.2VB.0.5VC.1VD.1.5V
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。 此题为判断题(对，错)。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
硅材料PN结的结压降为（）V。A、0.3B、1C、0.7D、2
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
晶闸管导通后，本身的压降约为（）V左右，称为通态平均电压。A、0.5B、0.7C、1D、3
可控硅导通后，其压降（）左右。 A、0.2VB、0.5VC、1V
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
一般硅二极管导通电压为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.1
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。A、零B、0.3VC、1V左右
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
晶闸管导通时的管压降约（）V。A、0.1B、1C、3D、5
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。A、0.2～0.3B、0.4C、0.6～0.7D、0.5
单选题可控硅导通后，其压降（）左右。A0.2VB0.5VC1V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A1VB0.2VC0.6V