对于污秽严重地区的电气设备采取的最有效的处理办法是()A、增大电瓷外绝缘的泄漏比距B、采用玻璃绝缘子C、采用硅橡胶绝缘子D、采用户内配电装置
当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时,将会降低其散热能力;当元器件内落入导电尘埃后,会使元器件间的绝缘性能降低,严重时会造成()。 A.温度过高B.温度降低C.腐蚀D.短路
在预防性试验中，下列哪些通常不做介质损耗试验?（ ）A.电缆设备绝缘B.变压器绝缘C.互感器绝缘D.电容器绝缘。
绝缘介质出现明显的锈蚀、褪色通常属于（）。A、电老化B、电腐蚀C、热老化D、环境老化
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。（）
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层
水分对绝缘介质的电性能和理化性能有很大的危害性，它最主要影响是（）。A、击穿电压降低；B、介质损耗因数增大；C、油品水解加速；D、使纸绝缘遭到永久破坏。
换流阀一般采用（）的绝缘方式。A、空气绝缘B、油绝缘C、真空绝缘D、介质绝缘
量绝缘电阻可以检查绝缘介质是否受潮或损坏，如局部受潮或有裂缝等（）。
电介质的介电性能包括（）A、极化B、损耗C、绝缘D、绝缘强度
提高液体介质击穿电压的措施（）、（）、祛气、采用油和固体介质的组合绝缘、油纸绝缘、防尘。
一般而言，在车站或设计速度小于160km／h的区段采用分段绝缘器实现电分段，在干线速度超过160km／h的路段采用（）实现电分段。A、分段B、分相绝缘器C、绝缘锚段关节D、非绝缘锚段关节
器件式分相绝缘器的承力索分段绝缘子应采用（）。A、瓷质绝缘子B、玻璃钢化绝缘子C、有机绝缘子
当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时，将会降低其散热能力；当元器件内落入导电尘埃后，会使元器件间的绝缘性能降低，严重时会造成（）。A、温度过高B、温度降低C、腐蚀D、短路
对于污秽较严重地区的电气设备采取的最有效处理方法是（）。A、增大电瓷外绝缘的泄漏比距B、采用玻璃绝缘子C、采用硅橡胶绝缘子D、采用户内配电装置
关于高压开关柜外绝缘，哪些说法是错误的（）A、空气绝缘净距离大于125mm（对12kV）B、爬电比距大于18mm/kV（对瓷质绝缘）C、采用热缩包裹导体结构可降低空气绝缘净距D、如开关柜采用复合绝缘或固体封装等可靠技术，可适当降低其决议距离要求
如开关柜采用复合绝缘或固体绝缘封装等可靠技术，可适当降低其绝缘距离要求。（）
上、下行或由不同馈线供电的设备间的分段绝缘器其主绝缘爬电距离不小于1.2m；分段绝缘器的空气绝缘间隙不应小于300mm。
在停电作业中，开断或接入绝缘导线前，应（）。A、采用带电作业方式进行B、采取防感应电的措施C、采用绝缘遮蔽措施
填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
问答题什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤。
单选题绝缘介质出现明显的锈蚀、褪色通常属于（）。A电老化B电腐蚀C热老化D环境老化
多选题电介质的介电性能包括（）A极化B损耗C绝缘D绝缘强度
单选题器件式分相绝缘器的承力索分段绝缘子应采用（）。A瓷质绝缘子B玻璃钢化绝缘子C有机绝缘子
单选题当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时，将会降低其散热能力；当元器件内落入导电尘埃后，会使元器件间的绝缘性能降低，严重时会造成（）。A温度过高B温度降低C腐蚀D短路