图中的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是哪个图所示?

图中的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是哪个图所示?


参考解析

解析:提示:判断三极管是否工作在放大状态的依据共有两点:发射结正偏,集电结反偏。例如: 对于NPN型三极管来说,基极电位高于发射极电位(硅材料管的电压UBE大约为0. 7V,锗材料管的电压UBE大约为0.3V),集电极电位高于基极电位。对于PNP型三极管来说,基极电位低于发射极电位,集电极电位低于基极电位。

相关考题:

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。

NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止

当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为- 0.7V、-1V、-6V,则下列说法错误的是()。 A.此晶体管为硅管B.- 0.7V为发射极C.-1V为基极D.此晶体管为PNP管

晶体管单管放大电路如图所示,当晶体管工作于线性区时,晶体管的输入电阻为Rbe,那么,该放大电路的输入电阻为:

图中的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是哪个图所示?

图示的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是( )。A.B.C.D.

晶体管单管放大电路如图所示,当晶体管工作于线性区时,晶体管的输入电阻为Rbe,那么,该放大电电路的输入电阻为:A.RbeB.RB1//RB2//rbeC.RB1//RB2//(RE+Rbe)D.RB1//RB2//[RE+(1+β)Rbe]

晶体管单管放大电路如图所示,当晶体管工作于线性区时,晶体管的输入电阻为 rbe ,那么该放大电路的输入电阻为:(A)rbe(B)RB1 //RB2//rbe(C)RB1 //RB2//(RE+rbe)(D) RB1 //RB2//(RE+(1+β)rbe)

放大电路如图所示,设晶体管β=50,RC=1.5kΩ,UBE=0.6V,为使电路在可变电阻RW=0时,晶体管刚好进入饱和状态,电阻R应取(  )kΩ。A.72B.100C.25D.50

晶体管电路图如下,已知各晶体管的β=50,那么晶体管处于放大工作状态的电路是(  )。

晶体管电路如图所示,已知各晶体管的β= 50,那么晶体管处于放大工作状态的电路是( )。

设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是(  )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大

差分放大电路如图所示,若晶体管VT1、VT2的参数对称,β均为50,rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为(  )。A.50B.-1C.1.3D.-11

晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么?

NPN型晶体管处于放大状态时,各级的电位关系是()。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE

检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区,最简便的方法是测量ICQ。

极管的开关特性是指控制基极电流,使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。

发射结处于正向偏置的晶体管,其一定是工作于放大状态。()

晶体三极管的开关特性是指控制基极电流,使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。

由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。

对于双极型晶体三极管(简称晶体管),如下不正确的描述是()。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

处于放大状态的晶体管,集电极电流是由多子扩散运动形成的。

单选题NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有()。AVC>VE>VBBVC>VB>VECVC>VB>VEDVB>VE>VC

单选题图示的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是()。A AB BC CD D