图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？

图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？

参考解析

解析：提示：判断三极管是否工作在放大状态的依据共有两点:发射结正偏，集电结反偏。例如: 对于NPN型三极管来说，基极电位高于发射极电位(硅材料管的电压UBE大约为0. 7V，锗材料管的电压UBE大约为0.3V)，集电极电位高于基极电位。对于PNP型三极管来说，基极电位低于发射极电位，集电极电位低于基极电位。

相关考题：

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。
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NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
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当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为－ 0.7V、－1V、－6V,则下列说法错误的是()。 A.此晶体管为硅管B.- 0.7V为发射极C.-1V为基极D.此晶体管为PNP管
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：
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图示的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是( )。A.B.C.D.
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电电路的输入电阻为：A.RbeB.RB1//RB2//rbeC.RB1//RB2//(RE+Rbe)D.RB1//RB2//[RE+(1+β)Rbe]
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为 rbe ，那么该放大电路的输入电阻为：（A）rbe（B）RB1 //RB2//rbe（C）RB1 //RB2//(RE+rbe)（D） RB1 //RB2//(RE+(1+β)rbe)
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放大电路如图所示，设晶体管β=50，RC=1.5kΩ，UBE=0.6V，为使电路在可变电阻RW=0时，晶体管刚好进入饱和状态，电阻R应取（　　）kΩ。A．72B．100C．25D．50
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晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（　　）。
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晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β= 50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（ ）。
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设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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差分放大电路如图所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（　　）。A．50B．-1C．1.3D．-11
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晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么？
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NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE
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检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量ICQ。
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极管的开关特性是指控制基极电流,使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。
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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
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发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）
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晶体三极管的开关特性是指控制基极电流，使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。
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由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。
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对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
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处于放大状态的晶体管，集电极电流是由多子扩散运动形成的。
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单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。AVC＞VE＞VBBVC＞VB＞VECVC＞VB＞VEDVB＞VE＞VC
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单选题图示的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是（）。A AB BC CD D
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