差分放大电路如图所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（　　）。A．50B．-1C．1.3D．-11

差分放大电路如图所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（　　）。

A．50
B．-1
C．1.3
D．-11

参考解析

解析：图中差分放大电路为双端输入单端输出，此时差模放大倍数：

相关考题：

共模抑制比KCMR是差模电压放大倍数与共模电压放大倍数的比值,KCMR越大,差动放大电路的性能越好。() 此题为判断题(对，错)。
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理想集成运放的开环差模电压放大倍数Aud为:() A、100B、0C、无穷大
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差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好,而共模放大倍数愈小愈好。() 此题为判断题(对，错)。
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理想的集成运放:() A、开环差模电压放大倍数Aud为无穷大B、开环差模电压放大倍数Aud为0C、差模输入电阻为无穷大D、差模输入电阻为0E、输出电阻为0F、输出电阻为无穷大
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差分放大电路用恒流源代替发射极公共电阻是为了()。 A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比
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下列叙述中错误的是哪一条？( )A.双端输入差分放大电路的差模输入信号等于两输入端信号的差值B.单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半C.双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值D.差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积
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电路如图所示，电路的差模电压放大倍数为（）。
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电路如图所示，若更换晶体管，使B由50变为100，则电路的电压放大倍数约为（　　）。A． 原来值的1/2B． 原来的值C． 原来值的2倍D． 原来的4倍
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设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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已知某差动放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制比KCMR为（）A.100B.50C.1/50D.1/100
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共模抑制比KCMR反映了集成运算放大器对共模信号的抑制能力，通常用（）来表示。A、差模放大倍数AUD与共模放大倍数AUC之比B、差模放大倍数AUD与共模放大倍数AUC之比的绝对值C、共模放大倍数AUC与差模放大倍数AUD之比D、共模放大倍数AUC与差模放大倍数AUD之比的绝对值
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下列运放参数中（）数值越小越好。A、输入电阻B、输入失调电压C、共模放大倍数D、差模放大倍数
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有共模信号输入时，完全对称的差分放大电路的共模放大倍数（）A、等于零B、等于无穷大C、大于差模放大倍数
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差动放大电路对差模输入信号的电压放大倍数等于单管放大电路的电压放大倍数的两倍。
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衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是（）A、差模电压放大倍数B、差模抑制比C、共模电压放大倍数D、共模抑制比
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（）越大，差动放大电路分辨所需要的差模信号能力越强。A、共模抑制比B、电压放大倍数C、电流放大倍数D、功率放大倍数
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用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。A、差模放大倍数数值增大B、抑制共模信号能力增强C、差模输入电阻增大D、共模放大倍数增大
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差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
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集成运算放大器共模抑制比CMRR指放大器的（）A、差模输入信号与共模输入信号之比B、交流电压放大倍数与直流电压放大倍数（绝对值）之比C、输出量中差模成份与共模成份之比D、差模电压放大倍数与共模电压大倍数（绝对值）之比
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一个理想对称的差分放大电路，只能放大（①）输入信号，不能放大（②）输入信号（）。A、①差模②共模B、①共模②差模C、①交流②直流D、①直流②交流
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不管差分放大电路的参数是否理想对称，RE均有共模负反馈作用。
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差分放大电路采用恒流源代替RE是为了增大差模放大倍数。
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一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
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每一级电压放大倍数均为50，则两级放大电路总电压放大倍数是（）A、≤2500B、＝2500C、≥2500
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差分放大电路共模抑制比越大越好。因为它越大，表明差分放大电路（）。A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中差模成分越大
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对于差分放大电路，希望它的共模放大倍数大，差模放大倍数小。
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衡量差动放大电路性能质量的指标是（）。A、差模放大倍数AdB、共模放大倍数ACC、共模抑制比KCMRRD、输出电压u0
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