硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为－ 0.7V、－1V、－6V,则下列说法错误的是()。 A.此晶体管为硅管B.- 0.7V为发射极C.-1V为基极D.此晶体管为PNP管
晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：
图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？
晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（ ）。
晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β= 50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（ ）。
NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE
测量场效应管时，晶体管图示仪的“电压、电流/级”开关，应处于电压档。
检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量ICQ。
极管的开关特性是指控制基极电流,使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）
晶体三极管的开关特性是指控制基极电流，使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。
由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。
对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
处于放大状态的晶体管，集电极电流是由多子扩散运动形成的。
晶体管图示仪测量晶体管时（）可以改变特性曲线族之间的间距。A、阶梯选择B、功耗电阻C、集电极-基极电流/电位D、峰值范围
晶体管图示仪是测量晶体管的专用仪器，对晶体管的参数既可定性测量又可定量测量。
单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。AVC＞VE＞VBBVC＞VB＞VECVC＞VB＞VEDVB＞VE＞VC
判断题极管的开关特性是指控制基极电流,使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。A对B错
单选题图示的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是（）。A AB BC CD D
问答题于功率放大电路中的晶体管常处于接近极限工作的状态，因此，在选择晶体管时必须特别注意哪3个参数？
