晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
判断题蚀刻液中只需要含有氯化铜即可达到理想蚀刻要求。A对B错
问答题在用酸碱性氯化铜蚀刻若形成氯化亚铜沉淀，有何不利因素。
判断题蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。A对B错
判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A对B错
单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。A鼓泡式蚀刻液的酸性更强B鼓泡式蚀刻通入空气C鼓泡式蚀刻液的酸性更强D鼓泡式蚀刻通入氧气
判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A对B错
单选题蚀刻溶液中的氧化剂为（）。A氯化铜B氯化钠C氯化铵D氯化氢
判断题所有金属抗蚀层都可适用碱性蚀刻液，大部分金属不可用酸性蚀刻液，金除外。A对B错
单选题碱性氯化铜蚀刻液一定可用于下列何种抗蚀层（）。A锡B干膜C油墨D都不是
判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。A对B错
多选题在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足
填空题碱性蚀刻中蚀刻不足可能是喷淋压力不足造成，其解决方式为（）。
多选题在酸性氯化铜蚀刻过程出现抗蚀剂破坏的原因可能有（）。A溶液温度过高B溶液被污染C显影有余胶D传递速度过快
多选题酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高，会使（）。A盐酸挥发B抗蚀层破坏C溶液组分比例失调D无影响
判断题酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。A对B错
多选题蚀刻液的种类有（）。A酸性蚀刻液B碱性蚀刻液C中性蚀刻液D不知道
判断题湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。A对B错
多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有（）。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易
判断题碱性氯化铜蚀刻液pH值过低，氮水浓度太低，蚀刻速率变慢。A对B错
判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错
多选题在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足
判断题碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。A对B错
单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低，会加大侧蚀量，这是因为（）。A蚀刻液的密度太低，造成温度过低，反应速度过慢B蚀刻液的密度太低，溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低，即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低，溶液中的氯化铵含量太少
判断题在酸碱性氯化铜蚀刻液中都是含铜量越多越好。A对B错
单选题不适宜在碱性氯化铜蚀刻液中蚀刻的抗蚀层是（）。A金B锡铅合金C油墨D镍
多选题在酸性氯化铜蚀刻液体系的再生方法中，由于氯气是强氧化剂，直接通氯气是再生的最好方法。是因为（）。A成本低B再生速率快C无污染D设备简单