湿法保养时，碱性保护溶液不得二次补加，以防止造成腐蚀。
金属条码生成方式包括（）。A、激光蚀刻B、热缘腐蚀C、凹版印刷D、柔版印刷
金属材料为碳钢和低合金钢与氢氧化钠溶液、硝酸盐溶液、氯化铵溶液等腐蚀介质接触，易发生的腐蚀类型是（）。A、应力腐蚀B、缝隙腐蚀C、晶间腐蚀
晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
当金属和电解质溶液接触时，由化学作用而引起的腐蚀称为（）。A、电化学腐蚀B、电解作用C、化学腐蚀D、溶解腐蚀
判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A对B错
单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。A鼓泡式蚀刻液的酸性更强B鼓泡式蚀刻通入空气C鼓泡式蚀刻液的酸性更强D鼓泡式蚀刻通入氧气
多选题广义而言，所谓的蚀刻技术可以分为（）。A干蚀刻B湿蚀刻C中性蚀刻D无侧蚀蚀刻
判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A对B错
单选题通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液（）。A浸泡式蚀刻B鼓泡式蚀刻C泼溅式蚀刻D喷淋式蚀刻
判断题碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时，蚀刻速率慢，溶液稳定性差。A对B错
判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。A对B错
多选题在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足
多选题蚀刻液的种类有（）。A酸性蚀刻液B碱性蚀刻液C中性蚀刻液D不知道
判断题随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。A对B错
多选题湿法蚀刻具有以下哪些缺点（）。A化学药品处理时人员会遭遇的安全问题B反应溶液及去离子水需花费较高成本C光刻胶会产生附着性问题D蚀刻不均匀
多选题湿法蚀刻的方式主要有（）。A浸泡B鼓泡C泼溅D喷淋
判断题侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。A对B错
多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有（）。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易
判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错
多选题在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足
单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低，会加大侧蚀量，这是因为（）。A蚀刻液的密度太低，造成温度过低，反应速度过慢B蚀刻液的密度太低，溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低，即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低，溶液中的氯化铵含量太少
多选题金属条码生成方式包括（）。A激光蚀刻B热缘腐蚀C凹版印刷D柔版印刷
填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。
判断题在湿法蚀刻中，侧蚀是不可避免的，所以镀层突沿总是存在的。A对B错