离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A对B错
问答题在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。
单选题离子束加工技术利用注入效应加工的是（）A离子束刻蚀B溅射镀膜C离子镀D离子注入