问答题在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
问答题
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
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以下有关晶闸管正确的叙述是()。 A、晶闸管属于3个区2个PN结的三端器件B、晶闸管属于3个区3个PN结的三端器件C、晶闸管属于4个区3个PN结的三端器件D、晶闸管属于4个区2个PN结的三端器件
当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
问答题集成电路中，有源器件是指哪些种类的晶体管？