对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A、扩散过程B、表面反应过程C、传热过程D、3个过程共同控制

对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。

  • A、扩散过程
  • B、表面反应过程
  • C、传热过程
  • D、3个过程共同控制

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在氨合成反应宏观动力学的表面反应过程中,控制表面反应的步骤是() A、氮气的活性吸附B、氢气的活性吸附C、生成氨的反应D、氨的脱附

()分离过程是扩散分离过程。A、渗析分离过程;B、结晶分离过程;C、超滤分离过程;D、精馏分离过程。

溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤。首先要产生被称为晶核的微小晶粒作为结晶的核心,这个过程称为()。然后晶核长大,成为宏观的晶体,这个过程称为()。这两个过程,都必须以浓度差即溶液的()作为推动力,它的大小直接影响成核和晶体成长过程的快慢,而这两个过程的快慢又影响晶体产品的粒度分布。

多相催化反应历程中,下列过程中属于物理过程的是()A、外扩散B、脱附C、表面反应D、化学吸附

从传递原理来说,结晶属于()。A、传质过程B、传热过程C、热质同时传递过程D、动量传递过程

多相催化反应过程中,不作为控制步骤的是()。A、外扩散过程B、内扩散过程C、表面反应过程D、吸附过程

氨合成反应表面动力学过程的控制步骤是()。A、氮气的活性吸附;B、氢气的活性吸附;C、生成氨的表面反应;D、氨的表面解吸。

结晶过程包括晶核的形成和晶体的成长两个阶段。

氨合成反应的控制步骤是()。A、内扩散B、外扩散C、表面反应过程D、氮在催化剂表面的活性吸附

合成反应是一多项催化过程,这个过程按下列()过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散

多相催化反应控制步骤分为:()A、外扩散控制B、内扩散控制C、动力学控制D、热力学控制E、过程控制

相催化反应控制步骤分哪几种情况外扩散控制、内扩散控制、动力学控制(表面过程控制)

以下哪项不属于多相催化反应控制步骤()?A、外扩散控制B、内扩散控制C、动力学控制(表面过程控制)D、热力学控制

非均相催化反应过程中起化学反应的步骤是()A、表面反应B、吸附C、脱附D、内扩散

什么是水膜扩散控制过程?什么是内扩散控制过程?

气固相催化反应主要包括()等过程。A、表面反应B、内扩散C、预混合D、外扩散

简述结晶过程,工业上应如何控制结晶过程的成核速率。

干燥过程中,例如盐、糖等结晶体,只要提高空气温度,降低空气相对湿度,干燥速率可以提高,是属于()A、内部扩散控制B、内部干燥过程C、表面汽化控制D、表面干燥过程

结晶聚合物熔融过程与低分子晶体熔融过程的差别在于前者有()。

对于一个气固相催化反应过程,下列属于动力学因素的是()A、气膜扩散; B、孔内扩散; C、反应物的吸附和产物的脱附; D、表面反应

单选题干燥过程中,例如盐、糖等结晶体,只要提高空气温度,降低空气相对湿度,干燥速率可以提高,是属于()A内部扩散控制B内部干燥过程C表面汽化控制D表面干燥过程

问答题简述结晶过程,工业上应如何控制结晶过程的成核速率。

问答题若串联传热过程中存在某个控制步骤,其含义是什么?

单选题在氨合成反应宏观动力学的表面反应过程中,控制表面反应的步骤是()A氮气的活性吸附B氢气的活性吸附C生成氨的反应D氨的脱附

单选题对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A扩散过程B表面反应过程C传热过程D3个过程共同控制

问答题什么是水膜扩散控制过程?什么是内扩散控制过程?

单选题在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。A扩散过程B表面反应过程C传热过程D三者共同