单选题在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。A扩散过程B表面反应过程C传热过程D三者共同

单选题
在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。
A

扩散过程

B

表面反应过程

C

传热过程

D

三者共同

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碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时，由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要（），因此所得成品粒度会（）。A、快，大B、快，小C、慢，大D、慢，小
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有哪些因素影响晶体成长速率？
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关于碳酸氢钠结晶，下列说法正确的是（）。A、适宜的中温可以使在冷却过程中析出的碳酸氢钠在已有晶核上继续生长，而不过多的产生二次晶核。B、碳化液在较小过饱和度下开始结晶时，成核速率大于晶核成长速率C、在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率大于与之相适应的晶核生成速率D、要保持临界点与冷却段上层出水位置之间的距离不少于3mE、在操作过程中，中温达到一定指标之前，不开或少开冷却水，加水时应缓慢的加F、尽可能提高进塔CO2浓度
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在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要（）。A、慢B、快C、相等D、无法比较
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下列哪些因素不能影响晶体成长速率（）。A、温度B、压力C、杂质D、晶体大小
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在结晶操作中，应（）晶体的生长速率A、提高B、限制C、降低D、无限制提高
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下面温度对晶体形成的影响，说法不正确的是（）。A、低温可使溶质溶解度降低，有利于溶质的饱和B、生化物质的结晶温度一般控制在0～20℃C、温度过低时，由于溶液粘度增大会使结晶速度变慢D、通过降温促使结晶时，降温快，则结晶颗粒大
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在低温时，醚化反应速度低，反应速率由动力学控制。
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（）不是影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素。A、母液中杂质B、母液温度和酸度C、粒结晶在母液中呈悬浮状态和其在母液中停留的时间D、溶质向结晶界面移动的性质和强度
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对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。A、扩散过程B、表面反应过程C、传热过程D、3个过程共同控制
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焊接熔池一次结晶时，晶体的成长方向总是和散热方向一致。
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在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。A、有抑制作用B、有促进作用C、有的有A作用，有的有B作用D、没有影响
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结晶过程包括晶核的形成和晶体的成长两个阶段。
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下列哪个因素不能影响晶体成长速率（）A、温度B、压力C、晶体大小D、杂质
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金属结晶时，实际结晶温度必须（）理论结晶温度，结晶过冷度主要受（）影响。
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结晶性高聚物在什么温度下结晶时得到的晶体较完整、晶粒尺寸较大，且熔点较高、熔限较窄（）A、略低于Tm是B、略高于TgC、在最大结晶速率
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结晶时搅拌可使晶体与溶液产生相对运动而降低境界膜的厚度，促进溶质分子扩散来提高晶体长大速度，故搅拌速率越大越好。
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根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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简述结晶过程，工业上应如何控制结晶过程的成核速率。
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结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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结晶时，若要获得颗粒少但是粒度大的晶体，应该控制溶液在（）结晶A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、饱和曲线上
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填空题金属结晶时，实际结晶温度必须（）理论结晶温度，结晶过冷度主要受（）影响。
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判断题结晶时搅拌可使晶体与溶液产生相对运动而降低境界膜的厚度，促进溶质分子扩散来提高晶体长大速度，故搅拌速率越大越好。A对B错
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单选题结晶性高聚物在什么温度下结晶时得到的晶体较完整、晶粒尺寸较大，且熔点较高、熔限较窄。（）A略低于Tm是B略高于TgC在最大结晶速率
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单选题对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。A扩散过程B表面反应过程C传热过程D3个过程共同控制
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多选题根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
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填空题结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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