单选题用直探头在工件端面探测离侧壁极近的小缺陷时,探头最不利的探测位置是()A尽可能靠近侧壁;B离侧壁10mm;C离侧壁一个探头直径的距离处;D离侧壁二个探头直径的距离处。

单选题
用直探头在工件端面探测离侧壁极近的小缺陷时,探头最不利的探测位置是()
A

尽可能靠近侧壁; 

B

离侧壁10mm; 

C

离侧壁一个探头直径的距离处; 

D

离侧壁二个探头直径的距离处。


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

通常所称的游动缺陷回波是指用()探测到的。 A、直探头B、斜探头C、联合双探头D、均不能

直探头主要用于探测()的缺陷。

在超声波探伤中,双晶探头用于探测工件中什么部位的缺陷?

与探测面垂直的内部平滑缺陷,最有效的探测方法是()A、单斜探头法B、单直探头法C、双斜探头前后串列法D、分割式双直探头法

饼类锻件最主要探测方向是()A、 直探头端面检测B、 直探头侧面检测C、 斜探头端面检测D、 斜探头侧面检测

提高近表面缺陷的探测能力的方法是()A、用TR探头B、使用窄脉冲宽频带探头C、提高探头频率,减小晶片尺寸D、以上都是

频率()的探头容易产生()的脉冲,因此在探测薄工件和近表面缺陷时,应选择()频率的探头。

表面波探头用于探测工件表面缺陷。

接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A、联合双探头B、普通直探头C、表面波探头D、横波斜探头

表面波探头用于探测工件()缺陷。A、近表面B、表面C、内部D、平面形

双晶探头用于探测工件近表面缺陷。

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

用入射角为36.5°的有机玻璃楔块制作斜探头,用一次声探测钢制工件时,测得某缺陷的声程为141mm,求探头距缺陷的水平距离与缺陷距离探测面的深度?(CL=2730m/s;CS=3250m/s)

双晶探头用于探测工件()缺陷。A、近表面B、表面C、内部D、平面形

频率高的探头容易产生()的脉冲,因此在探测薄工件和近表面缺陷时应选择()频率的探头。

以下哪种探测方法不适宜T型焊缝()。A、直探头在翼板上扫查探测B、斜探头在翼板外侧或内侧扫查探测C、直探头在腹板上扫查探测D、斜探头在腹板上扫查探测

通常所称的游动缺陷回波是指用()探测到的。A、直探头B、斜探头C、联合双探头D、联合单探头

填空题频率()的探头容易产生()的脉冲,因此在探测薄工件和近表面缺陷时,应选择()频率的探头。

填空题频率高的探头容易产生()的脉冲,因此在探测薄工件和近表面缺陷时应选择()频率的探头。

单选题接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A联合双探头B普通直探头C表面波探头D横波斜探头

单选题用直探头在工件端面探测离侧壁极近的小缺陷时,探头最不利的探测位置是()A尽可能靠近侧壁;B离侧壁10mm;C离侧壁一个探头直径的距离处;D离侧壁二个探头直径的距离处。

填空题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

单选题饼类锻件最主要探测方向是:()A直探头端面探伤B直探头侧面探伤C斜探头端面探伤D斜探头侧面探伤

单选题与探测面垂直的内部平滑缺陷,最有效的探测方法是:()A单斜探头法B单直探头法C双斜探头前后串列法D分割式双直探头法

单选题双晶探头用于探测工件()缺陷。A近表面B表面C内部D平面形

判断题双晶探头用于探测工件近表面缺陷。A对B错

单选题分割式探头主要用来()。A探测离探伤面远的缺陷B探测离探伤面近的缺陷C探测与探伤面平行的缺陷

单选题表面波探头用于探测工件()缺陷。A近表面B表面C内部D平面形