单选题二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。A0.1;0.2B0.2;0.3C0.5;0.1D0.5;0.4

单选题
二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。
A

0.1;0.2

B

0.2;0.3

C

0.5;0.1

D

0.5;0.4


参考解析

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导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V

二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

二极管当中,硅管的开启电压约为( )V,锗管约为( )V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

硅半导体二极管的死区电压约为()。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V

硅二极管和导通电压约为().A、0.3VB、0.7VC、7VD、10V

硅二极管的正向电压约为0.2V。()

二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。A、0.1;0.2B、0.2;0.3C、0.5;0.1D、0.5;0.4

硅管的正向导通电压约为0.7V.

硅管的导通电压约为0.3V。

硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

硅管的门限电压约为()V。

导通后二极管两端电压变小,硅管约为()。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V

单选题二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。A0.1;0.2B0.2;0.3C0.5;0.1D0.5;0.4

判断题硅管的正向导通电压约为0.7V.A对B错

判断题硅管的导通电压约为0.3V。A对B错

判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。A对B错

判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。()A对B错