IGBT适用于()频率范围。A、20~300kHzB、50~200kHzC、8~50kHzD、50~400kHz

IGBT适用于()频率范围。

  • A、20~300kHz
  • B、50~200kHz
  • C、8~50kHz
  • D、50~400kHz

相关考题:

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

IGBT属于()控制型元件。A、电流B、电压C、电阻D、频率

GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

频率高的无线电波的传播特点()。A、有效覆盖范围小B、有效覆盖范围大C、适用于近距离覆盖D、适用于远距离覆盖E、主要用于话务分担

()简称IGBT。

可控硅逆变焊机的逆变频率是(),IGBT逆变焊机的逆变频率是()。A、5kHz以下B、16—20kHzC、20kHz以上

IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

IGBT功率器件同时具有()和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。A、较高的输入阻抗B、较低的输入阻抗C、较高的工作频率D、较低的工作频率

利用无源测量法测量频率时,文氏电桥仅适用于()范围的粗测,LC谐振回路适用于()范围的测量。

电液式激振器一般只适用于较高的频率范围,激振力大。

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

IGBT的开关频率是多少?

拍频法和差频法测频的区别是什么?它们各适用于什么频率范围?为什么?

开关频率在()时,应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A、1—1.5KHzB、1.5--2KHzC、大于2KHzD、以上都对

()适用于8~50kHz频率范围。A、IGBTB、SITC、MOSFETD、MOSFET

判断题电液式激振器一般只适用于较高的频率范围,激振力大。A对B错

问答题拍频法和差频法测频的区别是什么?它们各适用于什么频率范围?为什么?

单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。AGTO和GTR;BTRIAC和IGBT;CMOSFET和IGBT;DSCR和MOSFET;

问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

单选题IGBT属于()控制型元件。A电流B电压C电阻D频率

多选题IGBT功率器件同时具有()和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。A较高的输入阻抗B较低的输入阻抗C较高的工作频率D较低的工作频率

问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

单选题开关频率在()时,应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A1—1.5KHzB1.5--2KHzC大于2KHzD以上都对

问答题IGBT的开关频率是多少?