问答题IGBT的开关频率是多少?

问答题
IGBT的开关频率是多少?

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相关考题:

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

地铁电动列车VVVF逆变器采用的是IGBT开关元件此题为判断题(对,错)。

IGBT属于()控制型元件。A、电流B、电压C、电阻D、频率

TheSwitch变流器采用了基于IGBT开关元件的被动整流技术方案

GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中,常用的功率开关管是()。A、BridgerectifierB、SCRC、MOSFETD、IGBT

25T型客车的逆变器箱主电路为()电路,采用IGBT作为开关器件,具有开关频率高、驱动简单、损耗低的特点。A、单相桥式大电流型B、单相桥式电压型C、三相桥式电压型D、三相桥式大电流型

IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。

辅助逆变器功率模块采用的开关元器件是()。A、IGBT;B、AGATE;C、SIV;D、GTO;

下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

IGBT的开关频率是多少?

在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

IGBT的开关特性显示关断波形存在()现象。

开关频率在()时,应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A、1—1.5KHzB、1.5--2KHzC、大于2KHzD、以上都对

单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。AGTO和GTR;BTRIAC和IGBT;CMOSFET和IGBT;DSCR和MOSFET;

问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

单选题IGBT属于()控制型元件。A电流B电压C电阻D频率

填空题IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

填空题功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。

问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

单选题开关频率在()时,应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A1—1.5KHzB1.5--2KHzC大于2KHzD以上都对