由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。

由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。


相关考题:

在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

沉淀完成后进行陈化是为了()。 A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净,同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用

由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对,错)。

沉淀重量法在进行沉淀反应时,某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫()现象,其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有()和()。

洗涤沉淀的目的是为了将沉淀中的悬浮杂质清除掉。

陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质及混杂在沉淀中的母液。

在沉淀法的基本操作中,过滤的目的是(),洗涤的目的是洗去沉淀吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液、烘干或灼烧的目的是除去洗涤后沉淀中的水分和洗涤液中的挥发性物质,并使沉淀()。

下列有关洗涤沉淀的叙述,错误的是()。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多,洗涤效果愈好,但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多,洗涤效果愈好。

用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是()。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀

沉淀完成后进行陈化是为了()。A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净,同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带人的杂质D、加速后沉淀作用

下列有关沉淀纯净叙述错误的是()。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀

下列说法正确的有()。A、无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B、沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C、由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D、可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

洗涤沉淀的目的是为了洗去()。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液

混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。

在沉淀形成过程中,与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀

填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

多选题下列说法正确的有()。A无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A混晶B吸留C包藏D后沉淀

单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A后沉淀B机械吸留C包藏D混晶

单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀