PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。


相关考题:

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对,错)。

漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。() 此题为判断题(对,错)。

PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对,错)。

PN结加正向电压,则()A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散

当PN结加正向电压时,()运动超过了内电场作用下的()运动,形成较大的正向电流。

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子

PN结内部()。A、存在内电场,能帮助少数载流子漂流B、存在内电场,能帮助多数载流子扩散C、不存在内电场D、存在内磁场,起到单向导电作用

存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动,形成电流,通常称它们为载流子。()

漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。

光生电流包括()。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时,PN结输出电流

在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子扩散形成D、少数载流子漂移形成

PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

为什么PN结具有单向导电性()。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向一致,增强内电场作用,多数载流子顺利通过在电路中形成电流,正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向相反,削弱内电场阻挡作用,使多数载流子顺利通过阻挡层,在电路中形成电流,正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向相反,削弱内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向一致,增强内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用

N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

在PN节之间加反向电压,多数载流子扩散被抑制,反向电流几乎为零,就形成了PN节截止。

在PN节之间加(),多数载流子的扩散增强,有电流通过PN节,就形成了PN节导电。A、前向电压B、后向电压C、正向电压

在PN节之间加正向电压,多数载流子的扩散增强,有电流通过PN节,就形成了PN节导电。

填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

填空题当PN结加正向电压时,()运动超过了内电场作用下的()运动,形成较大的正向电流。

单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流