铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A对B错
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对B错
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。