在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
单向晶闸管又称为可控硅整流器(scr),它的最大特点是()。 A.只有截止状态B.有截止和导通这两种稳定状态C.只有导通状态D.没有截止和导通状态
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
晶体三极管的工作状态有（）A、截止状态B、放大状态C、饱和导通状态D、短路状态
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
晶体管只有两种工作状态，即饱和导通状态和截止关闭状态。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
晶闸管主要有（）两种工作状态。A、放大和饱和B、截止和饱和C、控制和放大D、阻断和导通
三极管有（）三个工作状态。A、放大B、截止C、导通D、饱和
三极管可以处于（）工作状态A、放大B、截止C、导通D、饱和
三极管有（）三种工作状态。A、放大、截止、导通B、放大、缩小、饱和C、放大、截止、饱和D、放大、缩小、导通
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
三极管有放大、饱和、截止三种工作状态。在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和或截止两种状态下。
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
对于CMOS门电路，无论输入电平V1是高电平还是低电平，两个MOS管工作（）A、都是导通状态B、都是截止状态C、一个在导通状态而另一个在截止状态D、无法判断
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
晶体三极管有（）、截止状态和饱和状态三种工作状态。
多选题三极管有（）三个工作状态。A放大B截止C导通D饱和
单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A积累B耗尽C导通D夹断
单选题三极管有（）三种工作状态。A放大、截止、导通B放大、缩小、饱和C放大、截止、饱和D放大、缩小、导通