压电晶片的振动频率于晶片厚度有关。() 此题为判断题(对，错)。
晶片厚度与晶片的频率密切相关，晶片厚度越厚，频率越低。
硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。A、粒子的扩散B、化学反应C、从气体源通过强迫性的对流传送D、被表面吸附
使聚合物熔点降低的因素是（）A、晶片厚度增加B、分子间作用力增加C、分子链柔性增加D、分子链刚性增加
压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A、工作面的面积B、作用在晶片上的压强C、作用在晶片上的力D、晶片厚度
探头中压电晶片的基频取决于（）A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
探头中使用压电陶瓷晶片的优点是（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
为得到较高的效率，要使晶片在共振状态下工作，此时晶片厚度为（）波长。A、1/2B、1/3C、1/4D、1/6
超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系，频率越高，晶片越薄。
晶片共振波长是晶片厚度的（）。A、 2倍B、 1/2倍C、 1倍D、 1/4倍
探头的频率取决于（）。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度
晶片厚度越厚，熔点越（）。可用于表征结晶速度的参数为（）或（）。
聚合物样品在拉伸过程中出现细颈是（）的标志，细颈的发展在微观上是分子中链段或晶片的（）过程。
波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大
某探头晶片的波速为CL=5.74*106mm/s，晶片厚度t=0.574，求探头的特征频率。
超声波探头的压电晶片的振动频率与晶片厚度有什么关系？
若压电晶片的厚度为30mm，晶片的声速为3000m/s，则发射声波的频率为（）。
单选题压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A工作面的面积B作用在晶片上的压强C作用在晶片上的力D晶片厚度
问答题超声波探头的压电晶片的振动频率与晶片厚度有什么关系？
问答题某单烯类聚合物的聚合度为104，试估算分子链完全伸展时的长度是其均方根末端距的多少倍？（假定该分子链为自由旋转链。）
填空题晶片厚度越厚，熔点越（）。可用于表征结晶速度的参数为（）或（）。
单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A频率或晶片直径减少时增大B频率或晶片直径减少时减少C频率增加而晶片直径减少时减少D频率或晶片直径增大时增大
单选题探头的频率取决于（）。A晶片的厚度B晶片材料的声速C晶片材料的声阻抗D晶片材料的密度
判断题天然纤维素呈现伸展链的结晶，再生纤维素呈现折叠链的晶片。A对B错
填空题换能器频率与晶片厚度有关，晶片越（），频率越（），材料对声能的衰减越（）
填空题聚合物样品在拉伸过程中出现细颈是（）的标志，细颈的发展在微观上是分子中链段或晶片的（）过程。
单选题使聚合物熔点降低的因素是（）A晶片厚度增加B分子间作用力增加C分子链柔性增加D分子链刚性增加