判断题烧结过程中,如果晶界移动速率等于气孔扩散速率,可达到烧结体致密化。()A对B错

判断题
烧结过程中,如果晶界移动速率等于气孔扩散速率,可达到烧结体致密化。()
A

B


参考解析

解析: 晶粒正常生长时,晶界移动受到杂质或气孔的牵制,为了利用晶界作为原子移动的快速通道, 希望气孔维持在晶界或三个晶粒的交汇点上,晶界移动速率等于气孔扩散速率,晶界在牵制气孔移动的同时,气孔作为空位源而快速向烧结体外排除。随着烧结进行,气孔率逐渐减小,气孔内气压不断提高,当内气压增至2γ/r时,即其孔内气压等于烧结推动力,烧结就停止了,继续升高温度,气孔内气压>2γ/r,气孔膨胀而出现反致密化过程。

相关考题:

下列选项中,()不属于烧结致密体显微结构。A、晶体B、玻璃体C、粉尘D、气孔

烧结理论认为:粉状物料的表面能与多晶烧结体的晶界能关系是。()A、表面能大于界面能;B、表面能等于界面能;C、表面能小于界面能。

烧结中晶界移动的推动力是()A、表面能B、晶界两侧自由焓差C、空位浓度差

下列过程中,哪一个能使烧结体强度增大,而不产生坯体宏观上的收缩?试说明理由。 (1)蒸发-冷凝; (2)体积扩散; (3)粘性流动; (4)晶界扩散; (5)表面扩散; (6)溶解-沉淀。

晶界移动遇到气孔时会出现几种情况,从实现致密化目的考虑,晶界应如何移动?怎样控制?

在烧结后期,晶界扩散有利于孔隙球化,而表面扩散有利于孔隙消除。

烧结过程的晶界扩散有何重要意义?

分布在晶界上的孔隙在烧结过程中较易消除。

试述烧结初期,晶粒长大能促进坯体致密化么?晶粒长大能影响烧结速率么?

烧结速率的影响因素:()、()、()。

下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A、蒸发-凝聚B、体积扩散C、粘性(塑性)扩散D、表面扩散

问答题晶界移动遇到气孔时会出现几种情况,从实现致密化目的考虑,晶界应如何移动?怎样控制?

问答题烧结过程的晶界扩散有何重要意义?

单选题在烤瓷烧结过程中,可能在烤瓷中残留气孔,下面哪个是最不重要的影响因素()A失水方法B烧结炉的压力C烤瓷的加热速率D烧结的最大烧结温度

判断题在烧结后期,晶界扩散有利于孔隙球化,而表面扩散有利于孔隙消除。A对B错

判断题一般来说,晶界是气孔通向烧结体外的主要扩散通道。A对B错

问答题试述烧结初期,晶粒长大能促进坯体致密化么?晶粒长大能影响烧结速率么?

问答题烧结过程中,分析晶界遇到夹杂物时会出现的情况,从致密化目的考虑,晶界应如何移动?怎样控制?

问答题烧结过程中,晶界遇到夹杂物时会出现几种情况?从实现致密化目的的考虑,晶界应如何移动,怎样控制?

多选题在烧结过程中,只改变气孔形状而不引起坯体致密化的传质方式有()A晶格扩散B表面扩散C晶界扩散D流动传质E颗粒重排F蒸发-凝聚G非本征扩散H溶解-沉淀

问答题下列过程中,哪一个能使烧结体强度增大,而不产生坯体宏观上的收缩?试说明理由。 (1)蒸发-冷凝; (2)体积扩散; (3)粘性流动; (4)晶界扩散; (5)表面扩散; (6)溶解-沉淀

问答题在烧结时,晶粒生长能促进坯体致密化吗?晶粒生长会影响烧结速率吗?试说明之。

填空题决定烧结致密化速率主要有三个参数:()、粘度、表面张力。

多选题下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A蒸发-凝聚B体积扩散C粘性(塑性)扩散D表面扩散

单选题在烧结过程中只改变坯体中气孔的形状而不引起坯体致密化的传质方式是()。A流动传质B蒸发—凝聚传质C溶解—沉淀D扩散传质

单选题烧结理论认为:粉状物料的表面能与多晶烧结体的晶界能关系是。()A表面能大于界面能;B表面能等于界面能;C表面能小于界面能。

填空题等离子体放电烧结过程中对参数的控制包括()、()、升温速率、压力、保温时间。