晶体管放大电路为什么要设置静态工作点？工作点选择不当对放大信号有什么影响？
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
从半导体加工技术方面看，微机上一般多采用（）。A、MOS晶体管B、DOS晶体管C、POS晶体管
常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
解释下列磁敏传感器： ①磁敏电阻与磁敏晶体管有哪些不同？ ②磁敏晶体管与普通晶体管的不同之处是什么？ ③磁敏电阻与霍尔元件属同一类磁电转换元件，在本质上有什么不同？
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。A对B错
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A对B错
问答题什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?
问答题在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A对B错
问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
问答题交流发电机在高速、满载时，如果突然失去负载，对晶体管有何危害？为什么？
问答题晶体管有几个极？几个PN结？它们的名称是什么？
问答题解释下列磁敏传感器： ①磁敏电阻与磁敏晶体管有哪些不同？ ②磁敏晶体管与普通晶体管的不同之处是什么？ ③磁敏电阻与霍尔元件属同一类磁电转换元件，在本质上有什么不同？