问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?

问答题
MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?

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放大器上限频率(高频特性)的存在是由于( )的影响造成的。A.耦合电容B.旁路电容C.电阻D.晶体管电容

当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时,必须还要具备有() A、触发器B、晶体管C、MOS管D、电容

电容型验电器由哪几部分组成?

电容器的概念是什么?由哪几个部分组成?

利用JT-1型晶体管特型图示仪,不但可以测试晶体管,还可以测量电容的电容量、电感的电感量。

静电耦合通常是指干扰改善通过分布电容经行传递。

动态RAM的基本存储电路是()。A、双稳态触发器B、电容器C、MOS管D、晶体管

由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。

开关电容滤波器包含:()。A、MOS开关B、MOS运放C、电容D、电阻

SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。

光敏二极管与MOS电容相比,具有()、()、()、()等优点。

放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

电子点火装置的分类:电感放电式有触点晶体管点火系;电感放电式无触点晶体管点火系;电容放电式有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。

电子点火装置的分类:电感放电式有触点晶体管点火系;()无触点晶体管点火系;电容放电式有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。A、电池放电式B、电极放电式C、电感放电式D、电容放电式

影响放大器下限频率fL的因素是()。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容

晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容,都属于寄生电容。

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判断题电子点火装置的分类:电感放电式有触点晶体管点火系;电感放电式无触点晶体管点火系;电容放电式有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。A对B错

单选题电子点火装置的分类:电感放电式有触点晶体管点火系;()无触点晶体管点火系;电容放电式有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。A电池放电式B电极放电式C电感放电式D电容放电式

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