单选题在TTL集成与非门中,多发射极晶体管T1的主要作用是()。A倒相B逻辑乘C提高带负载能力D提高抗干扰能力

单选题
在TTL集成与非门中,多发射极晶体管T1的主要作用是()。
A

倒相

B

逻辑乘

C

提高带负载能力

D

提高抗干扰能力


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

TTL与非门采用复合管作输出级的负载电阻,可提高TTL与非门的带负载能力。()

自激多谐振荡器是以()作开关来实现矩形脉冲输出的。 A、TTL与门B、TTL非门C、TTL或门D、TTL与非门

TTL集成逻辑门电路内部是以( )为基本元件构成的。A.二极管B.晶体管C.晶闸管D.场效应晶体管

在晶体管AGC电路中,控制电压一般可控制晶体管的()。A、基极B、发射极C、集电极

TTL与非门电路的输入级是由()构成。A、多发射极晶体管B、单发射极晶体管C、多个二极管D、一个二极管

HTL与非门与TTL与非门相比()A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL作速度快C、HTL比TTL抗干扰能力强

TTL集成门电路,当输入端全为高电平时,多发射极晶体管发射结()偏,集电结分别存在()偏。A、正、正B、正、反C、反、反D、反、正

在TTL与非门中,当输出为高电平会形成灌电流,输出为低电平会形成拉电流。

下列哪个集成门电路不能实现线与()A、TTL与非门B、三态门C、OC门

TTL与非门有哪几个主要参数?

在门电路中,“有0出1,全1出0”是()A、与门B、或门C、非门D、TTL集成与非门

TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。

TTL与非门RC环形多谐振荡器的振荡频率由()决定。A、TTL与非门的个数B、电阻R的大小C、电容C的容量D、RC

下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

TTL集成门电路是指()。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路

TTL与非门多余端的处理方法是()。

下列各门电路中,()的输出端可直接相连,实现线与。A、一般TTL与非门B、集电极开路TTL与非门C、一般CMOS与非门D、一般TTL或非门

在TTL集成与非门中,多发射极晶体管T1的主要作用是()。A、倒相B、逻辑乘C、提高带负载能力D、提高抗干扰能力

下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

某集成电路封装内集成有4个与非门,它们输出全为高电平时,测得5V电源端的电流为8mA,输出全为0时,测得5v电源端的电流为16mA,该TTL与非门的功耗为()mW。A、30B、20C、15D、10

TTL集成门电路是指()。A、二极管——三极管集成门电路B、晶体管——晶体管集成门电路C、可控硅——三极管集成门电路

下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

HTL与TTL与非门相比,具有()的特点。A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL运行速度大C、HTL比TTL抗干扰能力强D、各种性能都一样

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、场效应管;B、晶闸管;C、晶体管;D、电阻、电容、电感。

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管

多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

问答题TTL与非门有哪几个主要参数?