在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A、倒相B、逻辑乘C、提高带负载能力D、提高抗干扰能力

在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。

  • A、倒相
  • B、逻辑乘
  • C、提高带负载能力
  • D、提高抗干扰能力

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TTL与非门采用复合管作输出级的负载电阻，可提高TTL与非门的带负载能力。()
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自激多谐振荡器是以()作开关来实现矩形脉冲输出的。 A、TTL与门B、TTL非门C、TTL或门D、TTL与非门
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TTL集成逻辑门电路内部是以( )为基本元件构成的。A.二极管B.晶体管C.晶闸管D.场效应晶体管
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在晶体管AGC电路中，控制电压一般可控制晶体管的（）。A、基极B、发射极C、集电极
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TTL与非门电路的输入级是由（）构成。A、多发射极晶体管B、单发射极晶体管C、多个二极管D、一个二极管
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HTL与非门与TTL与非门相比（）A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL作速度快C、HTL比TTL抗干扰能力强
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TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏。A、正、正B、正、反C、反、反D、反、正
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在TTL与非门中，当输出为高电平会形成灌电流，输出为低电平会形成拉电流。
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下列哪个集成门电路不能实现线与（）A、TTL与非门B、三态门C、OC门
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TTL与非门有哪几个主要参数？
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在门电路中，“有0出1，全1出0”是（）A、与门B、或门C、非门D、TTL集成与非门
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TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。
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TTL与非门RC环形多谐振荡器的振荡频率由（）决定。A、TTL与非门的个数B、电阻R的大小C、电容C的容量D、RC
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下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
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TTL与非门多余端的处理方法是（）。
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下列各门电路中，（）的输出端可直接相连，实现线与。A、一般TTL与非门B、集电极开路TTL与非门C、一般CMOS与非门D、一般TTL或非门
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下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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某集成电路封装内集成有4个与非门，它们输出全为高电平时，测得5V电源端的电流为8mA，输出全为0时，测得5v电源端的电流为16mA，该TTL与非门的功耗为（）mW。A、30B、20C、15D、10
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TTL集成门电路是指（）。A、二极管——三极管集成门电路B、晶体管——晶体管集成门电路C、可控硅——三极管集成门电路
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下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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HTL与TTL与非门相比，具有（）的特点。A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL运行速度大C、HTL比TTL抗干扰能力强D、各种性能都一样
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TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、场效应管；B、晶闸管；C、晶体管；D、电阻、电容、电感。
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TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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问答题TTL与非门有哪几个主要参数？
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单选题在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A倒相B逻辑乘C提高带负载能力D提高抗干扰能力
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