单结晶体管因其发射极和基极个数,也被称为()。 A、双基极二极管B、双发射极二极管C、双基极三极管D、双发射极三极管
TTL集成逻辑门电路内部是以( )为基本元件构成的。A.二极管B.晶体管C.晶闸管D.场效应晶体管
在晶体管AGC电路中，控制电压一般可控制晶体管的（）。A、基极B、发射极C、集电极
TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏。A、正、正B、正、反C、反、反D、反、正
在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）A、“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）B、“集电极到发射极开路”是故障模式C、“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）D、“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式
单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（）。A、富阻区B、截止区C、饱和区
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共基极和共集电极电路
TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
多余输入端可以悬空的门电路是（）A、二极管与门B、TTL与非门C、或门D、或非门
正确的表示单结晶体管的结构及用途的是（）。A、它是双基极二极管B、适用于脉冲电路C、有两个PN结D、有一个发射极两个基极E、具有放大作用
在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A、倒相B、逻辑乘C、提高带负载能力D、提高抗干扰能力
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择（）电路。A、共发射极放大B、共基极放大C、共源极放大D、共集电极放大
晶体管共集电极放大电路的信号是从（）A、基极输入，集电极输出B、基极输入，发射极输出C、发射极输入，集电极输出D、集电极输入，发射极输出
TTL集成门电路是指（）。A、二极管——三极管集成门电路B、晶体管——晶体管集成门电路C、可控硅——三极管集成门电路
共射电路中，输入信号加在（）和地之间。A、发射极B、集电极C、基极D、晶体管的任一极
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
填空题单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
单选题在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A倒相B逻辑乘C提高带负载能力D提高抗干扰能力