导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅材料二极管的正向导通电压约为（）。A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
硅二极管的正向导通电压约为（）A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。