硅二极管的正向导通电压约为()A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏

硅二极管的正向导通电压约为()

  • A、0.1-0.3伏
  • B、0.6-0.7伏
  • C、1.2-1.5伏
  • D、1-2伏

相关考题:

导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V

二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

硅二极管的正向导通电压是( )。A.0.3VB.0.6VC.1V

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

硅材料二极管的正向导通电压约为()。A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏

硅二极管的正向电压约为0.2V。()

在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

硅管的正向导通电压约为0.7V.

晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

硅二极管正向导通电压为0.6~0.8V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。

在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

导通后二极管两端电压变小,硅管约为()。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V