判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。A对B错

判断题
满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。
A

对

B

错

参考解析

解析： 暂无解析

相关考题：

PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移
查看答案
晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
查看答案
在细水雾粒径范围内，水雾的沉降作用（）其扩散作用。A、远远小于B、小于C、等于D、远远大于
查看答案
双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。A、基区宽度B、外延层厚度C、表面界面状态
查看答案
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
查看答案
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
查看答案
气体燃烧过程中，扩散燃烧的燃料与空气的混合时间（）燃烧反应所需时间。A、远远大于B、远远小于C、基本等于D、一定等于
查看答案
三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
查看答案
三极管的电流放大作用取决于电子在（）中扩散与复合的比例。A、基极B、基区C、集电压D、发射区
查看答案
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
查看答案
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
查看答案
PN结加正向电压时，其正向电流是（）。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成
查看答案
在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子
查看答案
晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。
查看答案
SO2在气相中的扩散常数（）液相扩散常数。A、远远大于B、大于C、远远小于D、小于
查看答案
正常使用时，要确保继电器能稳定工作，给定的电流必须（）吸合电流。A、远远小于B、略小于C、略大于D、远远大于
查看答案
判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。A对B错
查看答案
单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
查看答案
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
查看答案
填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
查看答案
判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。A对B错
查看答案
填空题薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。
查看答案
填空题晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
查看答案
单选题PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A多子扩散B少子扩散C少子漂移D多子漂移
查看答案
填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
查看答案
单选题SO2在气相中的扩散常数（）液相扩散常数。A远远大于B大于C远远小于D小于
查看答案
单选题在细水雾粒径范围内，水雾的沉降作用（）其扩散作用。A远远小于B小于C等于D远远大于
查看答案
单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流
查看答案
热门标签