晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

晶体管具备电流放大的内部条件是()。

A.基区薄而其杂质浓度低

B.基区杂质浓度高

C.降低发射区杂质浓度

D.加强电子在基区的复合

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晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。

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晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。

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晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。。

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36、晶体管放大作用的实质是（）。A．晶体管可以把小能量放大成大能量B．晶体管可以把小电流放大成大电流C．晶体管可以用低电压放大成高电压D．晶体管可以用小电流控制大电流

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晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。

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晶体管的电流放大倍数是低通电路。

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【填空题】晶体管的电流放大作用的外部条件是：。

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