生球干燥是由( )两个过程组成的。A.表面扩散和内部汽化B.表面汽化和内部扩散C.表面汽化和内部汽化D.表面扩散和内部扩散
火灾中气体燃烧属于()燃烧。() A、 蒸发B、 表面C、 扩散
吸附的发生过程可分()几个阶段。 A、外扩散B、表面扩散C、内扩散D、孔扩散
多相催化反应中，作用物从催化剂外表面扩散进入孔隙内部的过程叫做（）A、外扩散B、内扩散C、表面扩散D、化学吸附
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
生球干燥是由（）两个过程组成的。A、表面扩散和内部气化B、表面气化和内部扩散C、表面气和内部气化D、表面扩散和内部扩散
连续稳态扩散常常用高斯烟羽模型，下面属于高斯烟羽模型基本假设的是（）。A、在整个的扩散空间中，风速是均匀不变的B、污染源的源强是连续的、均匀的C、地表面充分平坦D、在扩散过程中污染物的质量是不变的，即烟气到达地面全部反射，不发生沉降和化学反应
吸附过程的内扩散分为（）。A、深层扩散；B、表面扩散；C、渗透扩散；D、孔扩散。
在催化裂化反应过程中，原料分子由主气流到催化剂表面的过程，称为（）过程。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散
在催化裂化反应过程中，原料分子由主气流到催化剂表面的过程，称为（）。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散
合成反应是一多项催化过程，这个过程按下列（）过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。
填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。
多选题常用的扩散模式是（）。A有风、小风、静风扩散模式B气态污染物和颗粒污染物扩散模式C短期浓度和长期浓度扩散模式D点源、面源、线源和体源等扩散模式
判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A对B错
填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。A对B错