填空题晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
填空题
晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
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解析：
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中国的邻邦日本，正在遭受“人口少子化”的困境。1999年，日本的总和生育率下降到 1. 57，被称为“1. 57”危机。2005年，这一数字下降到1. 08，日本媒体惊呼“少子化已达危害国家兴衰地步”。与此同时，在人口众多的中国，少子化问题也日渐浮现。根据2010年第六次全国人口普查的统计数据，我国0到14岁人口占人口总数的16. 60%，比2000年下降了 6.29个百分点，总和生育率约为1.38。人口学家惊呼，中国已经步入超低生育率 和严重少子化国家行列。这段文字意在强调（ ）。A.中国少子化的现象尚未引起国人的足够关注B.少子化已经成为困扰我国经济发展的社会问题C.中国少子化程度严重，总和生育率低于日本D.我们要重视人口少子化问题所带来的威胁
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）A、15μsB、225μsC、1.5μsD、20μs
单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
单选题半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）A多子---少子---少子；B少子---多子---多子；C多子---多子---多子D少子---少子---少子。
填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。