三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。() 此题为判断题(对，错)。
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
PN结具有（）特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏，集电结正偏
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
填空题在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
填空题扩散电容反映的是 PN 结的（）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。