耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。
A、必须正偏
B、必须零偏
C、必须反偏
D、可以正偏、零偏或反偏
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9、在测量ICBO时,双极型晶体管的发射结和集电结分别处于()。A.正偏和反偏B.反偏和反偏C.正偏和正偏D.零偏和反偏
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。
A、必须正偏
B、必须零偏
C、必须反偏
D、可以正偏、零偏或反偏