在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。
微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小，当势垒为零时，微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对，错)。
当PN结外加正向电压时，耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变
PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变
PN结在加正向电压时,PN结会消失() 此题为判断题(对，错)。
PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极
在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒＝均匀成核势垒D、视具体情况而定，以上三种均可能。
PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为（）或（）。
当PN结外加正向电压时，阻挡层的宽度将（）A、增大B、减小C、不变D、近似不变
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
单选题根据量子力学，当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时，下列哪种情况会发生？（）A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中
判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A对B错
填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。A对B错
填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关，当势垒加宽或变高时，势垒贯穿概率变小。A对B错
单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流