IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
结型场效应管的漏极、源极可调换使用。() 此题为判断题(对，错)。
二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。 A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
结型场效应管工作时,要求栅源之间处于反偏状态() 此题为判断题(对，错)。
三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（）。
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，因此能用两个二极管组成一个两PN结的三极管。
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
普通双极型晶体管是由（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
为了使结型场效应管正常工作，两个PN结必须加（）。
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
下列（）情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大
二极管是由（）构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A反偏电压B反向电流C正偏电压D正向电流
单选题双极型晶体管有（）A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结