问答题简述PN结光伏效应(分正偏、反偏、零偏三种情况)。

问答题
简述PN结光伏效应(分正偏、反偏、零偏三种情况)。

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相关考题:

三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏,发射结反偏D、集电结反偏,发射结正偏

BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏

BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。() 此题为判断题(对,错)。

晶体三极管用于放大时则()A、发射结反偏,基电结反偏。B、发射结正偏,基电结反偏。C、发射结正偏,基电结正偏。D、发射结反偏,基电结正偏。

三极管工作在放大状态时,发射结和集电结的偏置应为()。A、发射结零偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏

三极管饱和区的放大条件为()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏或零偏,集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏

当晶体管处于开关饱和状态下,BE结处于()、BC结处于()A、正偏;正偏B、正偏;反偏C、反偏;正偏D、反偏;反偏

为了使晶体管工作于饱和区,必须保证()。A、发射结正偏,集电结正偏B、发射强正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结零偏D、发射结反偏,集电结正偏

为了使晶体管工作于饱合区,必须保证()。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏

三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

工作在截止区的三极管的两个PN结()。A、均正偏B、均反偏C、一个正偏,一个反偏D、都不对

PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

对于结型场效应管,栅源极之间的PN结()A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置

晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏

和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

三极管工作在放大状态时,其偏置应为()A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏

三极管放大区的条件为()。A、射结正偏,集电结反偏B、射结反偏或零偏,集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏

PN结具有()特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向

填空题PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。

单选题三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏,集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏,集电结正偏

问答题为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光?而光电二极管要零偏或反偏才能有光生伏特效应?

填空题PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。