从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
二极管伏安特性曲线上有一个死区电压，什么是死区电压?
加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系叫二极管的（）。A、伏安特性B、稳压特性C、稳流特性D、放大特性
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和（）。
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
下面关于二极管伏安特性的正确叙述是（）。A、二极管伏安特性曲线描绘出了电压与时间的关系B、二极管伏安特性曲线描绘出了电流与时间的关系C、二极管伏安特性曲线描绘出了电流与电压的关系
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
二极管两端的电压与电流的关系称为二极管的伏安特性。
问答题试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。
判断题稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线不完全一致。A对B错
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A对B错