晶体管二极管的正极的电位是－10V,负极电位是－5V,则该晶体二极管处于()。 A、零偏B、反偏C、正偏
二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。 A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压
稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须()它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于截止状态。()。 A、正偏，大于B、反偏，大于C、正偏，小于D、反偏，小于
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
当二极管两端的电压VD()某一值VT时,二极管导通。 A、大于B、小于C、等于D、小于或等于
晶体二极管的阳极电位是－20V,阴极电位是10V,则该二极管处于()。 A.反偏B.正偏C.零偏
二极管的正极电位是—20V,负极电位是﹣10V,则该二极管处于()。 A、反偏B、正偏C、不变
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
当二极管两端正向偏置电压大于（）电压时，二极管才能导通。A、击穿；B、饱和；C、门槛。
晶体二极管的阳极电位是5V，阻极电位是0V，则该二极管处于（）。A、反偏B、正偏C、零偏
稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态。A、正偏B、反偏C、导通D、截止
光电耦合器输入部分性能可以通过用万用表测量输入部分二极管的（）来判断。A、正、反向电阻B、正、反向压降C、导通性D、发光性能
稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的导通区内。（）
晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。A、反偏B、正偏C、零偏
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
稳压二极管外加正偏电压时处于（）状态。A、导通B、截止C、放大
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
单选题稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态。A正偏B反偏C导通D截止
多选题光电耦合器输入部分性能可以通过用万用表测量输入部分二极管的（）来判断。A正、反向电阻B正、反向压降C导通性D发光性能
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。