4、关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是：A．迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。B．迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。C．电子的迁移率为正。D．电子的迁移率大于空穴的迁移率。E．电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正。F．电子的迁移率小于空穴的迁移率。G．电子的迁移率等于空穴的迁移率。
4、关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是：
A．迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。
B．迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。
C．电子的迁移率为正。
D．电子的迁移率大于空穴的迁移率。
E．电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正。
F．电子的迁移率小于空穴的迁移率。
G．电子的迁移率等于空穴的迁移率。
参考答案和解析
ABCD
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有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
填空题迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。