光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加。

光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加。


相关考题:

迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度()

电导率σ=nqμ,其中n是,q是,μ是。()A.载流子的数量,电场强度,载流子的迁移率B.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度C.载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率D.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率

电池片高效率化技术的方法有()A、光封闭技术B、光生载流子收集效率的改善C、光生成载流子复合损失的增加D、直接电阻损失的增加E、电压因子损失的减少

抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()

当射线的能量达到1.02MeV以上时,射线的光量子同原子作用的结果,使得光量子消失,产生一对离子,这就是电子对生成效应。

电导分析法中,采用交流电源,其目的是()A、增加电导率B、消除电极极化C、消除迁移电流D、增加电阻

()与大气电离率有关,并随纬度增加而增加,这种变化一般从7km以上高度开始。A、大气轻离子迁移率B、大气重离子迁移率C、大气电导率D、大气气溶胶浓度

导体的接触连接处如果温度过高,接触连接表面会强烈氧化,使得接触电阻增加,温度便随着增加,因而可能导致接触处松动或烧熔

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

Electrical conductivity()A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率

酸性氧化物浓度的增加将导致熔渣的电导率下降。

金属的载流子迁移率大,所以经常用金属作为霍尔元件的材料。

当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

光敏电阻又称(),几乎都是用()材料制成的,例如:()其特点是电阻率随光照强度的增大而()原因是:无光照射,载流子()导电性()。

在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时,光敏电阻吸收了能量,内部释放出电子,使载流子密度或迁移率增加,从而导致电导率增加,电阻增大。

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

光敏二极管受光照后,二极管上的().A、电流增加、电阻减少B、电流减少、电阻增加C、电流、电阻都增加D、电流、电阻都减少

多选题电池片高效率化技术的方法有()A光封闭技术B光生载流子收集效率的改善C光生成载流子复合损失的增加D直接电阻损失的增加E电压因子损失的减少

单选题()与大气电离率有关,并随纬度增加而增加,这种变化一般从7km以上高度开始。A大气轻离子迁移率B大气重离子迁移率C大气电导率D大气气溶胶浓度

判断题在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时,光敏电阻吸收了能量,内部释放出电子,使载流子密度或迁移率增加,从而导致电导率增加,电阻增大。A对B错

填空题光照增强的同时,载流子浓度不断的增加,同时光敏电阻的温度也在升高,从而导致载流子运动加剧,因此复合几率也增大,光电流呈()趋势。

单选题Electrical conductivity()A电导率B载流子数C载流子迁移率

单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A越高B不确定C越低D不变

填空题半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。

单选题MOSFET的温度特性体现为:()。A温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高B温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降C温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高D温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

名词解释题载流子迁移率