单选题在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料()。A无杂质污染B受宇宙射线辐射C化学配比合理D晶体完整性好
单选题
在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料()。
A
无杂质污染
B
受宇宙射线辐射
C
化学配比合理
D
晶体完整性好
参考解析
解析:
暂无解析
相关考题:
电导率σ=nqμ,其中n是,q是,μ是。()A.载流子的数量,电场强度,载流子的迁移率B.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度C.载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率D.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率
人工概念是()。A、人工制造的,对自然概念的模拟B、经过人工修饰的自然概念C、认知心理学家在实验室里用来进行概念形成研究的实验材料D、认知心理学家在实验室里用来进行思维的间接性研究的实验材料
下列在实验室里质量发生差错说法正确的是():A、在实验室里质量发生差错对病人就存在潜在的危险B、在实验室里质量发生差错对献血员就存在潜在的危险C、在实验室里质量发生差错对病人无影响D、在实验室里质量发生差错与病人的输血效果无关
单选题下列在实验室里质量发生差错说法正确的是():A在实验室里质量发生差错对病人就存在潜在的危险B在实验室里质量发生差错对献血员就存在潜在的危险C在实验室里质量发生差错对病人无影响D在实验室里质量发生差错与病人的输血效果无关
单选题MOSFET的温度特性体现为:()。A温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高B温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降C温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高D温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降
填空题迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。