对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。 A． 霍尔片的厚度B． 霍尔元件材料的电阻率C． 材料的载流子迁移率D． 霍尔元件所处的环境温度
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）
抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
量纲分为基本量纲和导出量纲。基本量纲是独立的量纲，基本量纲之间不能互相导出。（）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
载流子迁移率的量纲是（）A、m2/（v.s）B、m/sC、v/m
Electrical conductivity（）A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率
金属的载流子迁移率大，所以经常用金属作为霍尔元件的材料。
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时，光敏电阻吸收了能量，内部释放出电子，使载流子密度或迁移率增加，从而导致电导率增加，电阻增大。
光敏电阻吸收了光量子能量，使得载流子迁移率增加，导致电导率增加。
判断题在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时，光敏电阻吸收了能量，内部释放出电子，使载流子密度或迁移率增加，从而导致电导率增加，电阻增大。A对B错
单选题Electrical conductivity（）A电导率B载流子数C载流子迁移率
单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A越高B不确定C越低D不变
填空题半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
单选题在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（）。A无杂质污染B受宇宙射线辐射C化学配比合理D晶体完整性好
单选题在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。[2007年真题]A霍尔片的厚度B霍尔元件材料的电阻率C材料的载流子迁移率D霍尔元件所处的环境温度
单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
填空题迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。