硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7B.0.5C.0.3D.0.1
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
锗二极管的正向导通电压为（）。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
单选题在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A0.1～0.2V／0.3VB0.2～0.3V／0.7VC0.3～0.5V／0.7VD0.5V／0.7V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错