硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2，0.7B. 0.5，0.2C. 0.7， 1.0
一般硅二极管死区电压为小于（）V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管正向导通的条件是（）。A、正极电压高于负极电压，且其差值大于“死区电压”B、正极电压小于负极电压C、正极电压高于负极电压，且其差值小于“死区电压”D、正极电压等于负极电压
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。