关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
为保证系统的全程功率控制，中兴ZXWM－32DWDM系统采用了哪些功率控制技术（）A、功率预均衡B、增益平坦C、铝掺杂EDFAD、APSD和APR技术
根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关
填空题蓝宝石和红宝石主要成分是α-Al2O3，分别掺杂了少量钛和铁呈现（），掺杂了铬而呈现（）。
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A 温度越高，掺杂越快B 温度越低，掺杂越快C 温度恒定，掺杂最快D 掺杂快慢与温度无关
判断题在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。A对B错
判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A对B错
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。